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FDS3512 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | Fairchild Semiconductor | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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FDS3512参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC 包装数量：2500 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：80V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：70 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：634pF @ 40V 功率 - 最大值：1W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： Card EdgeRBC30DRTS-S13 Card EdgeECM43DRYH-S13 矩形- 接头，公引77317-101-06LF Card EdgeEBM11DRYH-S13 Card EdgeHSC60DRYI-S93 DC DC ConVE-20F-EY-S Card Edge345-060-540-202 薄膜电容器B25620B1706K981 Card EdgeEBA18DTKH-S288 芯片电阻 - 表面MCU08050D7320BP100 |
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