元器件采购网 > F-115页 > FET - 单FDS3512

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FDS3512

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) Fairchild Semiconductor
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FDS3512参数
产品类别:分立半导体产品-FET - 单
说明:MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
包装数量:2500
包装形式:带卷 (TR)
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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):80V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):634pF @ 40V
功率 - 最大值:1W
安装类型:表面贴装

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